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單晶硅片切割技術發展趨勢分析硅片薄片化不僅有效降低了硅材料的消耗,而且體現了硅片的柔韌性,給電池和組件端帶來了更多的可能性。硅片薄片化不僅受切片設備、金剛線、工藝等的限制,還受到電池和組件技術的需求變化。例如,異質結電池(HIT)的對稱結構。低溫或無應力工藝可以完全適應較薄的硅片,其效率不受厚度的影響。即使減少到100μm左右,短路電流ISC的損失也可以通過開路電壓VOC得到補償。切割薄片需要對切
談起高精密光纖激光切割機,很有可能您還一頭霧水,不知道其為什么東西,今日大家就來簡易的了解一下高精密光纖激光切割機吧。 精密光纖激光切割機便是高精密細膩的光纖激光切割機器設備。與CO2激光切割機對比,高精密光纖激光切割機的優點取決于對焦光點較小,激光切割線框較細致,工作效能較高,加工品質較強;是同樣輸出功率CO2激光切割機的2倍:電變換高效率達30%上下,是CO2激光切割機高3倍;整體用電量僅為
優勢 激光加工屬于無接觸加工,并且高能量激光束的能量及其移動速度均可調,因此可以實現多種加工的目的。它可以對多種金屬、非金屬加工,特別是可以加工高硬度、高脆性及高熔點的材料。激光加工柔性大主要用于切割、表面處理、焊接、打標和打孔等。激光表面處理包括激光相變硬化、激光熔敷、激光表面合金化和激光表面熔凝等。 激光加工技術主要有以下*特的優點: ①使用激光加工,生產效率高,質量可靠,經濟效益。 ②可以
介紹半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質,包括**物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態,有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。**污染包括光刻膠、**溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等,引起嚴重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌
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