芯片開封技術介紹decap

時間：2020-05-07

作者：儀準科技（北京）有限公司

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開封機類型開封機功能介紹
芯片開封機分用化學腐蝕和激光開封兩種，區別是激光開封比較簡單，而且開封銅線邦定的效果好開封指去除ic封膠，同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準備。也稱為開蓋，開帽,去封范圍：普通封裝COB、BGA 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。芯片IC半導體元器件開封機decap酸開封機自動開封機激
失效分析技術及失效分析案例
失效分析技術及失效分析案例作為各種元器件的載體與電路信號傳輸的樞紐，PCB已經成為電子信息產品的較為重要而關鍵的部分，其質量的好壞與可靠性水平決定了整機設備的質量與可靠性。但是由于成本以及技術的原因，PCB在生產和應用過程中出現了大量的失效問題。對于這種失效問題，我們需要用到一些常用的失效分析技術，來使得PCB在制造的時候質量和可靠性水平得到一定的保證，本文總結了**失效分析技術，供參考借鑒。
聚焦離子束顯微鏡FIB應用
1.引言隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展*，而納米加工就是納米制造業的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束（FIB）技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理聚焦離子束(ed Ion beam, F
FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離