詞條
詞條說(shuō)明
X射線(X-ray)檢測(cè) X射線(X-ray)檢測(cè)儀是在不損壞被檢物品的前提下使用低能量X 光,快速檢測(cè)出被檢物。 利用高電壓撞擊靶材產(chǎn)生X射線穿透來(lái)檢測(cè)電子元器件、半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)構(gòu)造品質(zhì)、以及SMT各類型焊點(diǎn)焊接質(zhì)量等[1] 。 型號(hào):XD7500NT 參考標(biāo)準(zhǔn):《IPC-A-610E電子組裝件的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)》、《GB/T 17359-1998電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法通則》
電子元器件失效分析 1、簡(jiǎn)介 電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ),元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此,必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作,通過(guò)分析確定失效機(jī)理,找出失效原因,反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用,共同研究和實(shí)施糾正措施,提高電子元器件的可靠性。 電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象,分辨其失效模式和失
《晶柱切片后處理》 硅晶柱長(zhǎng)成后,整個(gè)晶圓的制作才到了一半,接下必須將晶柱做裁切與檢測(cè),裁切掉頭尾的晶棒將會(huì)進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理,最后才能成為一片片**非凡的晶圓,以下將對(duì)晶柱的后處理制程做介紹。 切片(Slicing) 長(zhǎng)久以來(lái)經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸,其鋸片是一環(huán)狀薄葉片,內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒,晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板,不僅有利于切片的夾持,較可以避免在最后切斷階段時(shí)鋸片離開(kāi)晶棒
《半導(dǎo)體IC制造流程》 一、晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術(shù)較復(fù)雜且資金投入較多的過(guò)程 ,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道,而其所需加工機(jī)臺(tái)**且昂貴,動(dòng)輒數(shù)千萬(wàn)一臺(tái),其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵量(Particle)均需控制的無(wú)塵室(Clean-Room),雖
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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