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據物理學家組織網5月9日(北京時間)報道,美國加州大學河濱分校伯恩斯工程學院的研究人員開發出一種新技術,可借助石墨烯實現大功率半導體設備的大幅降溫,解決在交通信號燈和電動汽車中使用的半導體材料散熱問題。相關研究報告5月8日發表在《自然·通訊》雜志上。 自上世紀90年代以來,半導體材料氮化鎵(GaN)就被用于強光的制造,并因為高效和可耐高電壓工作而被用于無線設備中。然而就像所有大功率操作設備一樣,氮
半導體器件的發明和應用深刻地改變了近50年的人類歷史發展進程。進入21世紀,半導體器件無處不在,已成為構筑信息化社會的基石。同時,電力半導體在提高電力轉換效率方面的作用使之成為構筑低碳社會的基石。半導體技術的節能效果是顯而易見的。世界首臺采用電子管的電子計算機ENIAC重達30噸,耗電量高達200kW,而如今具有同樣功能的半導體計算設備重量僅為幾克,耗電量不足1W。同時,電力半導體在太陽能光伏和
*元件品牌--韓國KCD *元件型號--BT151 *主要用途 各種**開關器,繼電器與燈控制,小型馬達控制器, 漏電保護器,電子鎮流器,傳感與檢測電路,大功率 可控硅門較驅動,摩托車點火器等線路功率控制。 *封裝外形--TO-220 *管腳排列--K-A-G *極限值: (Ta=25℃) Tstg—貯存溫: -40~150℃ Tj—結溫: -65-125℃ IT(max)—通態電流: 8.0A
市場研究機構Future Horizons較新預測指出, 2012年**半導體市場將成長4%;該機構先前公布的成長率預測數字為8%。 Future Horizons執行長Malcolm Penn指出,調降成長率預測的主要原因是歐債危機等宏觀經濟情況持續惡化。不過Penn也預言,到2013年與2014年,半導體市場將連續出現15.6%與16.0%的兩位數成長。 Penn并指出,2012下半年的市場
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