plasma等離子處理TEOS工藝沉積二氧化硅薄膜的光譜研究

時間：2023-03-20

作者：深圳子柒科技有限公司

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詞條說明
電漿清洗機氫去除SiC表面污染物C和O
SiC該材料是三代半導體材質，具有高臨界擊穿電場、高導熱性、高載流子飽和漂移速度等特點。它是**半導體功率器件的*方向，在高壓、高溫、高頻、抗輻射半導體器件低損耗的優良性能，是**半導體功率器件的*。? ? ? ??但經傳統濕法處理后的SiC表面存在著殘留有C雜質和表面容易被氧化等缺點，使得在SiC上不容易形成優良的歐姆接觸和低界面態的MOS結
玻璃等離子表面活化處理等離子玻璃處理機器應用
深圳子柒科技積累了豐富的手機玻璃行業實踐經驗，與多家廠商合作，以提高玻璃的粘接和涂布性能。無論用哪種玻璃，等離子玻璃處理機器等離子處理都使粘接過程較加簡單。? ? ? ? 很難粘上玻璃制品，怎么辦，等離子玻璃處理機器來幫忙！對于很多人而言，把材料粘在玻璃上是一個復雜而困難的過程。但采用玻璃等離子表面活化處理技術可以有效地解決這一問題。?
等離子處理器使用哪些常見氣體作為清理介質？
等離子處理器也屬于干洗法，與傳統的濕法清洗器相比，電漿處理器具備工藝簡單、操作簡單、可控性高、精度高等特點，能一次清理表層不會有殘留物，反觀濕法清理一次清理不干凈還會有殘留物，如果使用大量的溶劑，對環境和人體都會有害。電漿清洗器在使用流程中，有兩種清理流程：化學變化和物理反應。電漿清理性能好，清理快，去除氧化物，**物和物體表層活化效果好，而且在使用流程中不會產生對人體和環境有害的氣體，是一種真正
?plasma等離子體能量密度對H2氣氛下C2H6脫氫反應的影響
?plasma等離子體能量密度為860 kJ/mol時，H2添加量對C2H6脫氫反應的影響：隨著H2濃度增加，C2H6轉化率，C2H2、C2H4和CH4收率均有所增加，這表明H2的加入有利于C2H6轉化及C2H2、C2H4和CH4生成。產生上述結果的可能原因是：一方面氫氣因其導熱性好，可大量傳遞熱量，在乙烷plasma等離子體中起稀釋氣體作用;另一方面氫氣的H-H鍵斷裂能為4.48eV，