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LPECVD是在低壓高溫的條件下,通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化,方便實驗室操作和使用,大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸;每次裝片1~3片。基片放置方式:配置三種基片托架,豎直、水平臥式、帶傾角。基片形狀類型:不規則形狀的散片、φ2~4
熱烈祝賀鵬城半導體獲得第六屆中國·湖州全球高層次人才創新創業大賽一等獎
4月16日,“才聚西塞山 青創南太湖”*六屆中國·湖州**高層次人才創新創業大賽暨深圳城市賽正式開賽,前期共征集20多個高層次人才創業項目,經過層層篩選,共有9個項目進入本次城市賽,涉及新能源、新材料、生命健康、AI智能等多個領域。鵬城半導體技術(深圳)有限公司-副總經理孔博士經過激烈的角逐,鵬城半導體技術(深圳)有限公司(簡稱:鵬城半導體)-“大尺寸金剛石晶圓片產業化項目”“斬獲了本次城市賽的一
2023年*二屆*三代半導體材料技術與市場研討會由半導體在線主辦,本屆會議于2023年3月30-31日在中國-蘇州合景萬怡酒店召開。*二屆*三代半導體材料技術與市場研討會提供協同創新的高質量交流平臺,推動國內三代半導體材料的學術研究、技術進步和產業發展,展示業內精英企業,凝聚行業發展共識。在此次會議,鵬城半導體技術(深圳)有限公司(簡稱:鵬城半導體)將帶來納米技術及**制造設備跟大家見面,其中包括
2022年8月15日-18日,2022十七屆全國MOCVD學術會議選擇在中國·太原·湖濱國*際大酒店舉行。金屬**化學氣相淀積(MOCVD)技術自二十世紀六十年代提出以來,取*得了飛速進步,已經廣泛應用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其**結構,較*大地推動了光電子器件和微電子器件與芯片的發展及產業化,也成為半導體**晶格、**阱、**線、**點結構材料及相
公司名: 鵬城半導體技術(深圳)有限公司
聯系人: 戴朝蘭
電 話:
手 機: 13632750017
微 信: 13632750017
地 址: 廣東深圳南山區留仙大道3370號南山智園崇文園區3號樓304
郵 編:
網 址: pcs2021.b2b168.com
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