KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用

時間：2024-01-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應用
上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, lo
HVA 真空閥門用于太陽能電池生產
HVA真空閥門用于太陽能電池生產?太陽能電池又稱為 ”太陽能芯片” 或 ”光電池”, 是一種利用太陽光直接發電的光電半導體薄片. 它只要被滿足一定照度條件的光照到, 瞬間就可輸出電壓及在有回路的情況下產生電流. 在物理學上稱為太陽能光伏（Photovoltaic, 縮寫為PV）, 簡稱光伏.太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的裝置. 以光伏效應工作的晶硅太陽能電池
KRI 霍爾離子源應用于黑膜鍍制
? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術.?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應用前景.?如可在精密光學儀器和光學零件、醫療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過