磁控濺射技術原理及應用簡介

時間：2023-10-07

作者：鄭州科探儀器設備有限公司

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磁控濺射技術原理及應用簡介
磁控濺射技術原理及應用簡介一、磁控濺射原理磁控濺射是一種常用的物相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優點。傳統的濺射技術的工作原理是：在高真空的條件下，入射離子（Ar+）在電場的作用下轟擊靶材，使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動能脫離靶材表面，沉積在基片表面形成薄膜。但是，電子會受到電場和磁場的作用，產生漂移，因而導致傳濺射效率低，電
高低溫探針臺-解釋塞貝克系數測量原理及系數
塞貝克系數（Seebeck Coefficient）也稱為熱電偶效應或Seebeck效應，是指兩種不同導體（或半導體）材料在一定溫差下產生熱電動勢的現象。塞貝克系數是研究熱電材料（將熱能轉化為電能的材料）非常重要的一個參數，它用來衡量材料在一定溫差下產生的熱電壓。?塞貝克系數的測量方法有很多種，其中一種常用的方法是恒流法。準備一個熱電偶，它由兩種不同材料的導線組成。然后將熱電偶的其中一個
高溫真空探針熱臺的使用場景
1000度高溫真空探針臺，主要應用于半導體、材料科學、納米技術、光電子、薄膜技術等領域，具有以下用途：1. 半導體器件測試與表征：用于不同溫度下的半導體料件、電子器件和光電子器件的性能測試和分析。2. 材料性能表征：研究和測試材料在不同溫度下的電學、磁學、光學等性能，以及材料的穩定性和可靠性。3. 納米結構與納米器件研究：在納米尺度上測量納米結構與納米器件的電學性能，及其在高溫真空環境中的穩定性和
真空探針臺優勢和適用于那些科研
KT-Z1604T探針臺主要應用于傳感器，半導體，光電，集成電路以及封裝的測試。廣泛應用于復雜、高速器件的精密電氣測量的研發，旨在確保質量及可靠性，并縮減研發時間和器件制造工藝的成本。??? 該探針臺的承載臺為60x60不銹鋼臺面，臺面較高可升溫到較高350℃。真空腔體設計有進氣口和抽真空接口。探針臂為X/Y/Z三軸移動，三個方向均可在真空環境下精密移位調節，其中X