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Ferraz方體熔斷器?? ?Z300103C ? ? ? ?? ?PC30UD69V200ESF?? ?6,9 URD 30 ES F ? 0200? ? ? ??Ferraz方體熔斷器?? &nb
熔體額定電流不等于熔斷器額定電流,熔體額定電流按被保護設備的負荷電流選擇,熔斷器額定電流應大于熔體額定電流,與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座 3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金,其熔點低容易熔斷,由于其電阻率較大,故制成熔體的截面尺寸較大,熔斷時產生的金屬蒸氣較多,只適用于低分斷能
由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵較通過一層氧化膜與**較實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模
利用金屬導體作為熔體串聯于電路中,當過載或短路電流通過熔體時,因其自身發熱而熔斷,從而分斷電路的一種電器。熔斷器結構簡單,使用方便,廣泛用于電力系統、各種電工設備和家用電器中作為保護器件。
公司名: 上海寅涵智能科技發展有限公司
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功率晶閘管半導體IGBT模塊|一件也是批發價|FZ400R17KE3 400A
?IGBT-Module|現貨供應|FZ1200R16KF4 1200A
Infineon英飛凌IGBT模塊|一手貨源|FZ1800R16KF4 1800A
功率半導體igbt|一件也是批發價|FZ2400R17KE3 2400A
IGBT驅動電路|現貨供應|FZ1800R17KE3_B2 1800A
英飛凌igbt單管|貨源穩定|FZ800R16KF4 800A
大功率igbt高壓可控硅|原盒原包|FZ2400R17KF6C_B2 2400A
功率晶閘管半導體IGBT模塊|一手貨源|FZ1600R17KE3_B2 1600A