詞條
詞條說(shuō)明
供應(yīng)SGM706-RYS8G/TR SOIC-8 ,微處理器監(jiān)控電路芯片
SGM706微處理器監(jiān)控電路降低了監(jiān)控電源和監(jiān)控微處理器活動(dòng)所需的組件的復(fù)雜性和數(shù)量。與單獨(dú)的集成電路或離散的組件相比,它顯著提高了系統(tǒng)的可靠性和準(zhǔn)確性。 SGM706提供電源監(jiān)測(cè)電路,在通電、斷電和停電條件下產(chǎn)生重位輸出。重置輸出仍然可以工作,VCC低至1V。同時(shí),還提供了獨(dú)立的監(jiān)控電路。如果未在1.6秒內(nèi)未切換輸入,則激活此操作。 此外,還有一個(gè)1.25V的閾值檢測(cè)器,用于電源故障警告、低電池
ADM2582EBRWZ-REEL7 全新原裝 SOIC-20 全/半雙工RS-485收發(fā)器
說(shuō)明 ADM2582E/ADM2587E是完全集成的信號(hào)和功率隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器,具有±15kVESD保護(hù),適用于多點(diǎn)傳輸線路上的高速通信。ADM2582E/ADM2587E包括一個(gè)集成的隔離直流到直流電源,因此*使用外部直流到直流隔離塊。 它們?yōu)槠胶廨旊娋€路而設(shè)計(jì),并符合ANSI/TIA/EIA-485-A-98和ISO8482:1987(E)的要求。 該設(shè)備集成了模擬設(shè)備公司、iCoupler?
供應(yīng)原裝正品 直插 STPSC10H065D 10A 650V TO220-2 肖特基二極管
描述 這種10A,650V的碳化硅二極管是一種**高性能的功率肖特基二極管。它是用碳化硅襯底制造的。寬帶隙材料允許設(shè)計(jì)一個(gè)肖特基二極管結(jié)構(gòu)與650V的額定值。由于肖特基結(jié)構(gòu),沒(méi)有恢復(fù)顯示在關(guān)閉和振鈴模式是可以忽略不計(jì)的。較小的電容性關(guān)閉行為與溫度無(wú)關(guān)。 此STPSC10H065特別適合用于PFC應(yīng)用程序。這種ST碳化硅二極管將提高在硬開(kāi)關(guān)條件下的性能。它的高正向浪涌能力確保了在瞬態(tài)階段具有良好的魯棒
供應(yīng) A4931METTR-T QFN8 4931ET 貼片 微功率 電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 全新原裝
A4931是一個(gè)完整的三相無(wú)刷直流電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器。該設(shè)備能夠驅(qū)動(dòng)廣泛的n通道電源MOSFETs,并可以支持高達(dá)30V的電機(jī)電源電壓。通勤邏輯由間隔在120°的三個(gè)霍爾元件輸入決定。 其他功能包括固定的斷開(kāi)時(shí)間脈寬調(diào)制(PWM)電流控制、可調(diào)延遲的鎖定轉(zhuǎn)子保護(hù)、熱關(guān)閉、過(guò)壓監(jiān)測(cè)器和同步整流。在內(nèi)部同步整流的電流衰減過(guò)程中,通過(guò)打開(kāi)適當(dāng)?shù)腗OSFET來(lái)降低功率耗散,從而用低RDS(開(kāi)啟)MOSFET使本
聯(lián)系人: 周斯琪
電 話: 13714705290
手 機(jī): 13844481270
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STM8L151F3P6 C8T6 K4T6 G4U6 G6U6 K6T6 F3U6 C6T6 R8T6 C4U6
TPS62822DLCR VSON-8 貼片 絲印:A2 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 原裝**
原裝** TPS389033GQDSERQ1 WSON-6 電源管理監(jiān)控和復(fù)位芯片IC
原裝** LPC54608J512BD208E 封裝LQFP208 NXP處理器MCU芯片IC
原裝** LT1172IS8#TRPBF 封裝:SO-8 開(kāi)關(guān)電源芯片IC
全新原裝 LM2775DSGR DC-DC電源芯片 升壓轉(zhuǎn)換器 價(jià)格優(yōu)勢(shì)
INA211AIDCKT 零漂移、高精度、低側(cè)/高側(cè)、電壓輸出電流分流監(jiān)控器 全新原裝
STM32F107VCT6 LQFP-100 ARM微控制器 - MCU 代理現(xiàn)貨 價(jià)格較優(yōu)
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