銷售中車可控硅KP4 900-36 KP4 900-38南車晶閘管

時間：2025-06-22

作者：上海聚肯電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
常用熔斷器原理與作用
? ? ? ?熔斷器其實就是一種短路保護器，廣泛用于配電系統和控制系統，主要進行短路保護或嚴重過載保護。熔斷器主要由熔體和安裝熔體的絕緣管(絕緣座)組成。使用時，熔體串接于被保護的電路中，當電路發生短路故障時，熔體被瞬時熔斷而分斷電路，起到保護作用。? ? ? 常用的熔斷器（1）插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末
一篇文章帶你重新認識可控硅
? ? ? 可控硅的PN結比三極管多了半個，它有兩個P型半導體和兩個N型半導體組成，我們把它看做是漢堡的話，底層的是N型半導體，上面的是P型半導體，再上面又是N型半導體，后一層也還是P型半導體，它總共有四層半導體，N型半導體和P型半導體交錯互織在一起，而里面就夾雜著三個PN結，我們在*二層的P型半導體中接出引線，就成了可控硅的控制較，在*四層接引線稱作陽極，在下面的N
如何保護可控硅不被損壞
1、過電壓保護晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓**過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓**過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來沖擊引起
可控硅壞的原因
1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。