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靶材,特別是高純度濺射靶材應用于電子元器件制造的物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)工藝,是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。所謂濺射,是制備薄膜材料的主要技術,也是PVD的一種。它通過在PVD設備中用離子對目標物進行轟擊,使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出,從而在晶圓表面沉積,濺鍍形成金屬薄膜,其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱
貴金屬靶材是什么?有什么?選用精練、融化煅造、壓延加工或粉未冶金工業(yè)加工工藝生產的半導體元器件、紀錄新聞媒體顯示器件等的布線和塑料薄膜的貴金屬以及合金的濺射靶材。Au、Pt、Pd、Ag靶材用以電子器件和規(guī)模性電子器件,CoCrPt、CoPt和CoPd等合金靶材用以磁記錄。輕貴金屬銀、釕、銠、鈀的統(tǒng)稱。相對密度在10~12/cm中間。重貴金屬金、鋨、銥、鉑的統(tǒng)稱,相對密度在19~22g/cm3中間。
簡易說的話,靶材便是快速荷能粒子負電子的總體目標原材料。有金屬材料類、鋁合金類、金屬氧化物類這些。例如:蒸發(fā)射頻濺射鍍膜是加溫蒸發(fā)鍍膜...鋁模等。拆換不一樣的靶材(如鋁、銅、不銹鋼板、鈦、鎳靶等),就可以獲得不一樣的膜系(如超硬、耐磨損、防腐蝕的鋁合金膜等)。?
現階段靶材的制取關鍵有鑄造法和粉未冶金法。鑄造法:將一定成份配制的合金原材料熔煉,再將合金飽和溶液澆筑于模貝中,產生澆鑄,最終經機械加工制造做成靶材,鑄造法在真空泵中熔煉、鑄造。常見的熔煉方式 有真空泵磁感應熔煉、真空泵電孤熔煉和真空電子負電子熔煉等,其特點是靶材殘渣含量(尤其是汽體殘渣含量)低,相對密度高,可進口替代;缺陷是對溶點和相對密度相距過大的二種或兩種以上金屬材料,一般熔煉法難以獲得成份
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