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詞條說明
LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量,使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn),成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問題,提
■ LED**爐特點(diǎn)?? ◆ 關(guān)鍵件全部采用進(jìn)口件,具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報(bào)警、**溫報(bào)警、極限**溫報(bào)警等多種安全保護(hù)功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路,可供用戶隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達(dá)可
?單管氧化爐技術(shù)方案 ? ????????????? (單管程序氧化爐) ? ?????????????&n
鏈帶式焊接爐技術(shù)方案 鏈帶式焊接爐主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件,金屬陶瓷,可控硅器件,玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結(jié)的連續(xù)工作的隧道式結(jié)構(gòu)熱處理爐。 一、主要技術(shù)指標(biāo) 1、設(shè)計(jì)溫度:≤700℃ 2、工作溫度:300℃~600℃ 3、爐內(nèi)控溫:±5℃ 4、儀表控制精度:±1℃ 5、設(shè)備總長度:約10600mm;進(jìn)出口臺面各為:800mm。 6、加熱區(qū)長度:≤3000mm(6段加熱) 7、冷卻區(qū)長
公司名: 青島福潤德微電子設(shè)備有限公司
聯(lián)系人: 顏
電 話: 0532-68017157
手 機(jī): 13658669338
微 信: 13658669338
地 址: 山東青島城陽區(qū)青島市城陽區(qū)北萬工業(yè)園
郵 編: 266000
網(wǎng) 址: qdfrdwdz.cn.b2b168.com
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